CARACTERÍSTICAS
* Pacote para montagem em superfície. (SOT-23)
* Baixa tensão de saturação V
CE(sat) = -0,4V (máx.) (IC = -100mA) * Baixo cob. Cob = 7,0pF (típico)
CONSTRUÇÃO
* Transistor de silício PNP
* Tipo planejador epitaxial
* Amplificador de média potência.
2002-10
* PC = 200mW (montado em substrato cerâmico).
* Alta capacidade de corrente de saturação.
