SMD MOSFET P LP2301LT1G P-CHANNEL MOSFET TRANSISTORS SMT

CARACTERÍSTICAS
1) VDS = -20 V
2) RDS(ON), Vgs@-2,5 V, Ids@-2,0 A=150 m
3) RDS(ON), Vgs@-4,5 V, Ids@-2,8 A=100 m
4) Tecnologia avançada de processo de vala
5) Design de célula de alta densidade para resistência ultrabaixa
6) Tensão e corrente de avalanche totalmente caracterizadas
7) FOM de disparo aprimorado
8) Requisito de acionamento simples
9) Esboço do pacote pequeno
10) Dispositivo de montagem em superfície
11) Declaramos que o material do produto está em conformidade com os requisitos RoHS e livre de halogênio.