SMD MOSFET N SI1012R-T1-E3 N-CHANNEL 1.8V (G-S) MOSFET TRANSISTORS SMT
SKU: 12447
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Descrição
RECURSOS
MOSFET de potência TrenchFET: 1,8 V nominal
Proteção contra ESD de porta-fonte: 2000 V
Comutação no lado alto
Baixa resistência de ativação: 0,7
Limiar baixo: 0,8 V (típico)
Velocidade de comutação rápida: 10 ns
Categorização do material: Para definições de conformidade, consulte www.vishay.com/doc?99912
