1) Dois transistores 2SK3018 em um único encapsulamento UMT.
2) Os elementos MOS FET são independentes, eliminando
interferência mútua.
3) O custo e a área de montagem podem ser reduzidos pela metade.
4) Baixa resistência de ativação.
5) O acionamento de baixa tensão (acionamento de 2,5 V) torna este dispositivo ideal para
equipamentos portáteis.
