SMD MOSFET N BSS138 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTORS SMT

CARACTERÍSTICAS

RDS(ON), VGS@10V, IDS@500mA=3
RDS(ON), VGS@4,5V, IDS@200mA=4
RDS(ON), VGS@2,5V, IDS@100mA=6
Tecnologia Avançada de Processo de Vala
Design de Célula de Alta Densidade para Resistência de Ligação Ultrabaixa
Corrente de Fuga Muito Baixa em Condição Desligada
Especialmente Projetado para Sistemas Operados por Bateria, Drivers de Relés de Estado Sólido: Relés, Displays, Lâmpadas, Solenoides, Memórias, etc.
Protegido contra ESD
Em conformidade com as diretivas RoHS 2002/95/EC da UE