SMD MOSFET FDG6332C N&P-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET TRANSISTORS SMT

Características

Q1 0,7 A, 20 V
RDS(ON) =300 m @ VGS = 4,5 V
RDS(ON) = 400 m @ VGS = 2,5 V
Q2 0,6 A, 20 V
RDS(ON) = 420 m @ VGS = 4,5 V
RDS(ON) = 630 m @ VGS = 2,5 V
Carga de porta baixa
Tecnologia de vala de alto desempenho para RDS(ON) extremamente baixo
Pacote SC706: pegada pequena (51% menor que SSOT6); Baixo
Perfil (1 mm de espessura)
Nível de proteção ESD: HBM >75 V, MM >25 V, CDM >1,5 kV
Esses dispositivos são livres de chumbo e estão em conformidade com RoHS