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Descrição
CARACTERÍSTICAS

Proteção ESD de até quatro linhas
Baixa capacitância do diodo
Potência máxima de pulso de pico: PPP = 30 W
Baixa tensão de fixação: VCL = 12 V
Corrente de fuga ultrabaixa: IRM = 5 nA
Proteção ESD de até 20 kV
IEC 61000-4-2; nível 4 (ESD)
IEC 61000-4-5 (surto); IPP = 2,5 A

* = -: made in Hong Kong
* = p: made in Hong Kong
* = t: made in Malaysia
* = W: made in China
Especificações

EAN: 0000000016384

Fabricante: NXP SEMICONDUCTORS