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Descrição
CARACTERÍSTICAS

Proteção ESD de até quatro linhas
Corrente de fuga ultrabaixa: IRM = 25 nA
Capacitância de diodo muito baixa
Proteção ESD de até 12 kV
Potência máxima de pulso de pico: PPP = 16 W
IEC 61000-4-2; nível 4 (ESD)
Baixa tensão de fixação: VCL = 11 V
IEC 61000-4-5 (surto); IPP = 1,5 A

Baixa tensão de fixação: 11V
Tensão de trabalho: 5V
Tensão de fixação: 13V
Tensão de ruptura: 6,8V
Especificações

EAN: 0000000021687

Fabricante: NXP SEMICONDUCTORS