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Descrição
Descrição geral

Proteção ESD de até cinco linhas
Corrente de fuga ultrabaixa: IRM = 5 nA
Baixa capacitância do diodo
Proteção ESD até 20 kV
Máx. potência de pulso de pico: PPP = 25 W
IEC 61000-4-2; nível 4 (ESD)
Baixa tensão de fixação: VCL = 12 V IEC 61000-4-5 (sobretensão); IPP = 2,5 A

Especificações

EAN: 0000000021180

Fabricante: NXP SEMICONDUCTORS